[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-16] トランスファーモールドSiC-MOSFETパワーモジュールの高温スイッチング試験

〇谷本 智^1,3、山下 真理¹、児嶋 伸夫¹、鈴木 広達¹、荒木 祥和¹、佐藤 伸二²、赤津 観³ (1.日産アーク・パワエレ解析室、2.産総研・ADPERC、3.芝浦工大・SIT総研)

キーワード：パワーモジュール、高温、スイッチング試験

この度、NEDO-SIP機電一体EVインホイールモータ（IWM）内部に組み込むトランスファーモールド超小型SiC-MOSFETハーフブリッジパワーモジュール(HBPM)試作品の高温スイッチング（SW）試験を実施したところ、最大目標ケース温度T_C = 200℃まで極めて安定にturn-on, turn-offできること確認したので報告する。試験はダブルパルス試験であって、典型的なSW条件は600 V, 105～115Aであった。使用状況では起りえないより過酷な条件： T_C = 250℃, 600 V, 150 AでのSWも達成した。