[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-17] Cr-Cu/Cuクラッド材を用いたﾊﾟﾜｰﾓｼﾞｭｰﾙ絶縁基板／ﾍﾞｰｽﾌﾟﾚｰﾄ構造

〇児嶋 伸夫¹、山下 真理¹、鈴木 達広¹、荒木 祥和¹、谷本 智^1,2、赤津 観² (1.日産アーク、2.芝浦工大・SIT総研)

キーワード：パワーモジュール、ベースプレート、冷熱サイクル試験

次世代パワー半導体のパワーモジュール（PM）冷却系への適用を目的に、前報で筆者らはPMメタライズ絶縁基板/ベースプレート（Sub/BP）構造を提案し、冷熱サイクル試験（-40℃～200℃; 3,000サイクル）に耐えるSub/BP構造を得ることに成功した。しかし、BPにはCu-Mo合金層をCu層でサンドイッチしたCPCクラッド板を使用しているため、原材料および製造のコストが高いという課題があった。そこで、CPCクラッド板よりも低コストかつ熱機械特性が同程度のCr-Cu/Cuクラッド材を用いたBPで検討した。結果、Cr-Cu/CuのBPは冷熱サイクル試験500サイクルまでは耐久性を有することを確認した。