[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-2] 4H-SiC C面 on-axis基板上の厚膜エピタキシャル成長

〇升本 恵子¹、児島 一聡¹、奥村 元¹ (1.産総研)

キーワード：SiC、スパイラル成長、エピタキシャル成長

SiCを用いた超高耐圧デバイスの普及のためには低コスト化が必須である。そこで、CVD法を用いてSiC基板上に厚膜エピ層を成長し、剥離によりエピ層を自立化し、自立エピ層にデバイス構造を作製する手法を提案する。これには厚膜成長が必要となるため、ステップ端から成長が破綻しないスパイラル成長に着目し、on-axis基板上にエピ成長を行っている。今回、210 μm厚の成長を行い、レーザー照射によりエピ層を基板から剥離することに成功した。