[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-8] X線吸収分光によるSiO₂/SiC界面に導入された窒素の局所構造解析

〇磯村 典武¹、朽木 克博¹、片岡 恵太¹、渡辺 行彦¹、木本 康司¹ (1.豊田中研)

キーワード：SiC-MOSFET、界面、窒素

X線吸収微細構造（X-ray Absorption Fine Structure: XAFS）分析は、着目原子周辺の局所構造を得ることができる手法である。これをSiO₂/SiC界面の分析に適用することにより、界面の窒素サイトを特定する。窒素サイトの特定は、様々なサイトを想定してシミュレーションにより求めたスペクトルと比較することにより行った。本研究では、SiO₂/SiC界面における窒素サイトの特定を試みると共に、NOアニール前のドライ酸化の有無による違いについても調べた。