[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-9] 4H-SiC(1-100)/SiO₂界面とNOのシミュレーションによる反応解析

〇小笠原 美紀¹、広瀬 隆之¹ (1.富士電機)

キーワード：シミュレーション、SiC、一酸化窒素

SiC-MOSFETにおけるNOガスアニールによる界面準位の低減のメカニズムとして、我々はNとSiC/SiO₂界面のCとの置換による界面終端及びCの排出に着目している。本研究では4H-SiC(1-100)/SiO₂界面とNOのシミュレーションからNの置換位置の解析を行った。その結果、SiCのCファセット側の6箇所のCのうち3箇所がNに置換した。本計算においてはSiファセット側のCの置換は確認されなかった。発表では置換の詳細な過程について報告する。