[9a-S422-1~13] 15.1 バルク結晶成長

[9a-S422-13] CZ法による直径100mm径金属Ni単結晶の育成・加工と評価

〇藤井 高志^1,2、渡邊 清和¹、高橋 和也¹、熊谷 毅¹、福田 承生¹、松岡 隆志³、川又 透³、杉山 和正³ (1.（㈱）福田結晶研、2.桂オプティクス、3.東北大金研)

キーワード：Ni単結晶、CZ法、GaN

金属Ni単結晶は、GaNエピタキシャル成長基板やグラフェン生成用基板として注目されている。今回、我々はCZ法により直径50㎜、100㎜単結晶の育成に成功した。また、難加工材料であるNi単結晶の低欠陥ウエハ加工技術を確立した。