[9a-W323-1~12] 6.4 薄膜新材料

[9a-W323-6] アセチルアセトナート錯体を原料とした酸化物フレームコーティング法によるY₂O₃膜の合成

〇(B)郭 振宇¹、土生 陽一郎²、竹内 純一²、小松 啓志¹、齋藤 秀俊¹ (1.長岡技科大、2.トーカロ株式会社)

キーワード：酸化イットリウム、アセチルアセトナート錯体、酸化物フレームコーティング法

大気開放型化学気相析出(CVD)法では金属イオンを担持したアセチルアセトナート(acetylacetonate：acac)錯体やβ-ジケトン錯体(例えばY(DPM)₃)などが使用され、気化させたY-(DPM)₃原料とキャリアガスの混合ガスを、大気開放下で加熱した基材に吹き付けて基材上にY₂O₃膜の作製ができる。堆積速度は数nm/sである。本研究では、イットリウムイオンを担持したY-(acac)₃錯体を原料とした新しい酸化物フレームコーティング法によるY₂O₃膜の高速堆積に挑戦する。