[9a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [9a-W541-10] 【注目講演】GaN 自立基板上 pn ダイオードの逆方向リーク電流と 貫通螺旋転位周りに存在する Mg との関係

〇宇佐美 茂佳¹、田中 敦之^2,3、間山 憲仁⁴、戸田 一也⁴、菅原 義弘⁵、姚 永昭⁵、石川 由加里⁵、安藤 悠人¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,6,7 (1.名大院工、2.未来材料・システム研究所、3.物材研、4.東芝ナノアナリシス、5.JFCC、6.赤﨑記念研究センター、7.VBL)

キーワード：3次元アトムプローブ、pnダイオード、逆方向リーク

本講演では漏れる螺旋転位と漏れない螺旋転位を決定する要因として不純物に着目し、3次元アトムプローブを用いて貫通転位周りのMgおよびO、Cとリークの関係について報告する。