[9a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [9a-W541-12] GaN薄膜における貫通転位およびナノパイプm壁面の第一原理計算に基づく電子状態解析

〇中野 崇志¹、長川 健太¹、洗平 昌晃^2,1、白石 賢二^2,1、押山 淳²、宇佐美 茂佳¹、草場 彰³、寒川 義裕^4,2、田中 敦之²、本田 善央^2,1、天野 浩^2,1 (1.名大院工、2.名大未来研、3.九大院工、4.九大応力研)

キーワード：GaN、threading dislocations、first-principles calculations