[9a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [9a-W541-2] MOCVD法によるナノワイヤLED上n-GaNキャップ層成長

〇後藤 七美¹、曽根 直樹^1,3、飯田 一喜^1,4、Lu Weifang¹、鈴木 敦志¹、軒村 恭平¹、竹林 穣¹、村上 ヒデキ¹、寺澤 美月¹、大矢 昌輝^1,4、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大学、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター、3.(株)小糸製作所、4.豊田合成(株))

キーワード：結晶成長、MOCVD法