2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[9a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年3月9日(土) 09:00 〜 12:15 W541 (W541)

秋山 亨(三重大)、谷川 智之(東北大)

09:45 〜 10:00

[9a-W541-4] 量子殻構造LEDのp型殻用電極に関する検討

鈴木 敦志1、村上 ヒデキ1、軒村 恭平1、竹林 穣1、後藤 七美1、寺澤 美月1、Lu Weifang1、曽根 直樹1,3、飯田 一喜1,4、大矢 昌輝1,4、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、赤﨑 勇1,2 (1.名城大 理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター、3.(株)小糸製作所、4.豊田合成(株))

キーワード:GaN、ナノワイヤ、LED

GaInN/GaN系量子殻を用いた三次元構造LEDは非極性面利用による活性層への歪緩和効果や選択成長による転位低減効果が確認されており、高InNモル分率領域における内部量子効率の向上に期待ができる技術である。 しかしながら、その微小且つ緻密な構造故に従来のデバイス用加工技術や評価方法は適用できない。そこで、当該構造に最適化された加工技術の開発が求められる。今回は、p型殻とコンタクトを取る電極について検討を実施したので報告する。