[9a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[9a-W541-4] 量子殻構造LEDのp型殻用電極に関する検討

〇鈴木 敦志¹、村上 ヒデキ¹、軒村 恭平¹、竹林 穣¹、後藤 七美¹、寺澤 美月¹、Lu Weifang¹、曽根 直樹^1,3、飯田 一喜^1,4、大矢 昌輝^1,4、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大　理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター、3.（株）小糸製作所、4.豊田合成（株）)

キーワード：GaN、ナノワイヤ、LED

GaInN/GaN系量子殻を用いた三次元構造LEDは非極性面利用による活性層への歪緩和効果や選択成長による転位低減効果が確認されており、高InNモル分率領域における内部量子効率の向上に期待ができる技術である。 しかしながら、その微小且つ緻密な構造故に従来のデバイス用加工技術や評価方法は適用できない。そこで、当該構造に最適化された加工技術の開発が求められる。今回は、p型殻とコンタクトを取る電極について検討を実施したので報告する。