[9a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[9a-W541-8] 放射光ナノビーム X 線回折による窒化物半導体 HEMT デバイスにおける圧電応答局所格子変形の直接観測

〇植田 瑛¹、藤平 哲也¹、安藤 祐次²、橋詰 保²、今井 康彦³、隅谷 和嗣³、木村 滋³、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.北大量エレ研、3.JASRI)

キーワード：ナノビームX線回折、圧電応答、窒化物半導体