[9a-W631-1~12] 3.7 レーザープロセシング

[9a-W631-1] フェムト秒レーザーによるSiO_x上へのナノ構造生成過程

〇宮地 悟代¹、髙谷 竜禎¹、Ihlemann Jürgen² (1.東京農工大、2.Laser-Lab. Göttingen)

キーワード：フェムト秒レーザーアブレーション、ナノ構造生成

SiO_x (x ~ 1) 表面にフルーエンス 750 mJ/cm²、パルス数500の100fs, 800nmレーザーパルスを繰り返し照射することにより、周期220-300nmの周期構造をレーザー照射部全体に形成することができた。これは、SiO₂よりも高い非線形光吸収係数を有するSiOx (x ~ 1)の表面でレーザー光が吸収されて高密度の電子が励起され、表面プラズモンポラリトンの光近接場によってナノアブレーションが誘起されたことを示している。