2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[9p-M113-1~8] 6.2 カーボン系薄膜

2019年3月9日(土) 13:30 〜 15:30 M113 (H113)

神田 一浩(兵庫県立大)

14:30 〜 14:45

[9p-M113-5] Arのマイクロ波放電フローによるC2H2の解離励起過程
ー 超励起状態を経由した解離機構

伊藤 治彦1、津留 紘樹1 (1.長岡技科大工)

キーワード:プラズマCVD、アセチレンの分解過程

Arのマイクロ波放電フローによるアセチレンの解離励起反応で、CH(A-X)遷移の発光スペクトルが強く観測される。本研究ではCH(A)状態の生成機構を解明した。まず実験によると、CH(A)状態の生成はAr+からの電荷移動とそれに引き続く自由電子との再結合で生成すると結論された。さらに報告された真空紫外領域の吸収スペクトルでは、イオン化限界(11.40 eV)の高エネルギー側に長励起状態の存在が示唆された。これらのことから、再結合で超励起状態が生成し、ある割合でCH(A)へ解離すると結論された。