[9p-M114-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[9p-M114-3] Highly activated junctions using Flash Lamp Annealing tool with sub-milliseconds shorter pulses

Akitsugu Ueda¹, 〇Hideaki Tanimura¹, Hikaru Kawarazaki¹, Takahiro Yamada¹, Kazuhiko Fuse¹, Takayuki Aoyama¹, Shinichi Kato¹, Yasuhide Nozaki¹ (1.SCREEN Semiconductor Solutions)

Keywords:Flash Lamp Annealing (FLA), Low thermal budget, High activation

微細化技術の進展に伴い、熱処理技術はより小さな熱履歴を追求してきた。今後も微細化に伴い、より小さな熱履歴を有する熱処理技術が求められ、同時に高い活性化レベルと拡散を制御する(拡散させない)技術が必須となる。このような要求に応えるため、我々はサブミリ秒で高温加熱可能な新しいFLA装置を開発した。本報告では、不純物の活性化プロセスにおける新装置の可能性を検証したので報告する。