[9p-M114-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9p-M114-3] 高出力サブミリ秒加熱のFLA装置による浅く高活性な接合の形成

上田 晃頌¹、〇谷村 英昭¹、河原崎 光¹、山田 隆泰¹、布施 和彦¹、青山 敬幸¹、加藤 慎一¹、野崎 仁秀¹ (1.SCREENｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ)

キーワード：FLA、低熱履歴、高活性化

微細化技術の進展に伴い、熱処理技術はより小さな熱履歴を追求してきた。今後も微細化に伴い、より小さな熱履歴を有する熱処理技術が求められ、同時に高い活性化レベルと拡散を制御する(拡散させない)技術が必須となる。このような要求に応えるため、我々はサブミリ秒で高温加熱可能な新しいFLA装置を開発した。本報告では、不純物の活性化プロセスにおける新装置の可能性を検証したので報告する。