[9p-M114-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9p-M114-4] FLAとSol-Gel膜を用いた高濃度不純物導入技術

〇谷村 英昭¹、布施 和彦¹、青山 敬幸¹、加藤 慎一¹、野崎 仁秀¹ (1.SCREENｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ)

キーワード：FLA、固相ドーピング

高性能デバイス作製のためには、不純物の高濃度導入が鍵となる。これを可能とする不純物導入手法の一つに、Sol-Gel Coating (SGC)が挙げられる。我々はこれまでに、ヒ素(As)含有SGCに対しFLA処理を行うことで高濃度・高活性な接合形成を報告した。本報告では、より高濃度に不純物を導入する手法に加え、ホウ素(B)含有SGCを用いた実験結果について報告する。