[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9p-M121-1] 両側空乏ベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードにおける
均一なアバランシェ破壊の実現および平行平板破壊電界の評価

〇前田 拓也¹、成田 哲生²、上田 博之²、兼近 将一²、上杉 勉²、加地 徹³、木本 恒暢¹、堀田 昌宏^1,3,4、須田 淳^1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 未来材料・システム研究所、4.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム(GaN)、アバランシェ破壊、ベベルメサ終端構造