2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2019年3月9日(土) 14:00 〜 17:45 M121 (H121)

牧山 剛三(富士通研)

14:00 〜 14:15

[9p-M121-1] 両側空乏ベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードにおける
均一なアバランシェ破壊の実現および平行平板破壊電界の評価

前田 拓也1、成田 哲生2、上田 博之2、兼近 将一2、上杉 勉2、加地 徹3、木本 恒暢1、堀田 昌宏1,3,4、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 未来材料・システム研究所、4.名大院工)

キーワード:窒化ガリウム(GaN)、アバランシェ破壊、ベベルメサ終端構造