[9p-M121-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [9p-M121-11] Relationship between High Frequency Power Characteristics and Current Collapse of AlGaN/GaN HEMTs

〇(M1C)Takashi Ozawa¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Yohei Yagishita², Yoichi Kawano², Masaaki Kuzuhara¹ (1.Fukui Univ., 2.Fujitsu Labs.)

Keywords:GaN, High Frequency Power, collapse

AlGaN/GaN HEMT は低オン抵抗、高耐圧特性を有する次世代のパワーデバイスとして期待さ れている。しかし実用化に向けて、電流コラプスの抑制が課題となっている。その対策としてフィ ールドプレート(FP)構造が報告されている。本研究では、ゲート電極に FP 構造をもつ AlGaN/GaN HEMT を試作し、パルス応答から求めた電流コラプスとマイクロ波帯（2GHz）で測定した高周波パワ ー特性との関係について検討したので報告する。