[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [9p-M121-11] AlGaN/GaN HEMT の高周波パワー特性と電流コラプスとの関係

〇(M1C)小澤 渉至¹、アスバル ジョエル¹、徳田 博邦¹、八木下 洋平²、川野 陽一²、葛原 正明¹ (1.福井大院工、2.富士通研)

キーワード：GaN、高周波パワー、電流コラプス

AlGaN/GaN HEMT は低オン抵抗、高耐圧特性を有する次世代のパワーデバイスとして期待さ れている。しかし実用化に向けて、電流コラプスの抑制が課題となっている。その対策としてフィ ールドプレート(FP)構造が報告されている。本研究では、ゲート電極に FP 構造をもつ AlGaN/GaN HEMT を試作し、パルス応答から求めた電流コラプスとマイクロ波帯（2GHz）で測定した高周波パワ ー特性との関係について検討したので報告する。