[9p-M121-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[9p-M121-13] N-polar GaN HEMT with Al₂O₃ gate insulator

〇Akihiro Hayasaka¹, Ryosuke Aonuma¹, Koushi Hotta¹, Isao Makabe², Shigeki Yoshida², Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.Sumitomo Electric Industries, Ltd)

Keywords:N-polar GaN HEMT, gate insulator, Contact resistance

N極性GaN HEMTは、ゲート絶縁膜が必要である。高速化の為の薄膜化を考えるとALDによるGaNへの直接成膜を試みる必要があると考え、ALDによりAl₂O₃ゲート絶縁膜を持つN極性GaN HEMTの製作を行った。結果、オン電流は170 mA/mm, オフ電流は2.39×10^-6mA/mm, 相互コンダクタンスの最大値は28.7 mS/mm, コンタクト抵抗率とシート抵抗はそれぞれ、 3.5×10^-5Ωcm², 6700Ω/□であった。シート抵抗が大きいことから、チャネルのパッシベーションや絶縁膜の最適化が必要であると考えられる。