[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9p-M121-3] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードの2段メサ構造による高破壊耐量化

〇太田 博¹、浅井 直美¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、三島 友義¹ (1.法政大、2.サイオクス)

キーワード：GaN p-nダイオード、2段メサ構造、高破壊耐量

高破壊耐量化を目的として、アノード電極周辺のp-GaN層の一部をICPドライエッチングにより除去した2段メサ (Two-Step Mesa)構造を適用した自立GaN基板上縦型p-n接合ダイオードの検討を行った。その結果、約4.8kVの逆方向電圧印加による降伏後にも破壊が生じないことが分かった。また、順方向電流-電圧特性におけるオン抵抗の増大も見られず、従来のシングルメサ構造と同等の特性が得られた。