[9p-M121-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[9p-M121-5] Fabrication of fully vertical GaN MOSFET on Si using regrowth

〇Naoki Torii¹, Debaleen Biswas¹, Yamamoto Keiji¹, Egawa Takashi¹ (1.Nagoya Inst.)

Keywords:semiconductor, GaN

再成長法を用いたSi基板上縦型GaN MOSFETを作製し、電気的特性を評価しました。