[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9p-M121-5] 再成長法を用いたSi基板上縦型GaN MOSFETの試作

〇鳥居 直生¹、Debaleen Biswas¹、山本 圭司¹、江川 孝志¹ (1.名古屋工業大学)

キーワード：半導体、GaN

再成長法を用いたSi基板上縦型GaN MOSFETを作製し、電気的特性を評価しました。