[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9p-M121-8] イオン注入ノーマリーオフGaN DMOSFET

〇吉野 理貴¹、安藤 悠人²、出来 真斗³、鳥谷部 達⁴、栗山 一男¹、本田 善央³、西村 智朗¹、天野 浩^2,3、加地 徹³、中村 徹^1,3 (1.法政大、2.名大院工、3.名大IMaSS、4.東洋大)

キーワード：窒化ガリウム、二重拡散金属酸化物電界効果トランジスター、イオン注入

自立GaN基板にイオン注入法でｐ型とｎ型層を形成し，二重拡散金属酸化物トランジスター（DMOSFET）を作製したので，報告する．