[9p-PA1-1~28] 6.4 薄膜新材料

△ [9p-PA1-26] ミスト CVD 法を用いた VO₂ 薄膜のエピタキシャル成長

〇木村 信¹、池之上 卓己¹、三宅 正男¹、平藤 哲司¹ (1.京大院エネ科)

キーワード：エピタキシャル成長、Vanadium Dioxide

大気圧プロセスであるミスト CVD 法を用いて VO₂ のエピタキシャル成長を実現した。成膜条件を最適化することで r 面 Al₂O₃ 基板に Rutile-VO₂[03](231)//Al₂O₃[110](12) および Rutile-VO₂[013](23)//Al₂O₃[110](12) の方位関係で成長したこと、また常温と 100℃ 間で電気抵抗が 4 桁変化したことが確認された。