[9p-PA3-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

[9p-PA3-11] 角度分解硬X線光電子分光法によるダイヤモンド半導体表面のsoft-ICPエッチングダメージ評価

〇和田 励虎¹、滝沢 耕平¹、加藤 有香子²、小倉 政彦²、牧野 俊晴²、山崎 聡²、野平 博司¹ (1.東京都市大学、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、パワーデバイス、硬Ｘ線光電子分光

ダイヤモンドパワーデバイス開発のため、デバイスプロセスの高度化を目指して、soft-ICP エッチング処理によるダイヤモンド表面ダメージを評価した。本講演会では、角度分解硬Ｘ線光電子分光法による評価結果を報告する。