[9p-PA3-1~18] 6.2 Carbon-based thin films

[9p-PA3-14] Effect of hydrogen-containing gate insulator film on diamond semiconductor devices

〇Yuta Miyagoshi¹, Mami Fujii¹, Yasuaki Ishikawa¹, Kiyoshi Takahashi², Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST, 2.Nippon Aluminum Alkyls, Ltd.)

Keywords:diamond, Al2O3, ALD

ダイヤモンドは絶縁破壊電圧や熱伝導率が優れているため、パワーデバイス応用に向けて研究が進んでいる。Al₂O₃は優れた電気的絶縁性を持ち、耐熱性にも優れているためダイヤモンドデバイスのゲート絶縁膜として有望である。ALD-Al₂O₃のAl原料としてはTMA（trimethylaluminum, (CH₃)₃Al）が広く使用されているが、本研究ではTMAに代わりメチル基の1つが水素と置き換わったDMAH（dimethylalminum hydride, Al(CH₃)₂H）を用いてAl₂O₃膜の形成と特性評価を行った。