[9p-PA3-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

[9p-PA3-14] ダイヤモンド半導体素子に対する水素含有絶縁膜の効果

〇宮越 雄太¹、藤井 茉美¹、石河 泰明¹、高橋 清²、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.日本アルキルアルミ)

キーワード：ダイヤモンド、Al2O3、原子層堆積法

ダイヤモンドは絶縁破壊電圧や熱伝導率が優れているため、パワーデバイス応用に向けて研究が進んでいる。Al₂O₃は優れた電気的絶縁性を持ち、耐熱性にも優れているためダイヤモンドデバイスのゲート絶縁膜として有望である。ALD-Al₂O₃のAl原料としてはTMA（trimethylaluminum, (CH₃)₃Al）が広く使用されているが、本研究ではTMAに代わりメチル基の1つが水素と置き換わったDMAH（dimethylalminum hydride, Al(CH₃)₂H）を用いてAl₂O₃膜の形成と特性評価を行った。