[9p-PA4-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9p-PA4-1] 単一VO₂積層デバイスによる協調発振現象

〇戸部 龍太¹、沖村 邦雄¹、ミヤ モハメッド　シュルズ¹ (1.東海大院工)

キーワード：二酸化バナジウム、絶縁体金属転移、協調発振現象

二酸化バナジウム(VO₂)は電圧印加により電気抵抗が連続変化する自励発振特性を有しており, その特性を利用した発振素子やニューロン素子等への応用が期待されている. 今回我々は, 複数のVO₂デバイスと結合キャパシタが必要であった協調発振現象において, 単一のVO₂デバイスで結合キャパシタの不要な協調発振現象を実現した. 本成果は協調発振現象を利用したニューロモルフィックデバイスのさらなる高集積化の可能性を示すものである.