[9p-PA4-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9p-PA4-10] トポタクティックフッ素ドープによるLa_0.1Sr_1.9IrO_4-xF_y薄膜の作製

〇丸山 敬裕¹、近松 彰¹、片山 司¹、倉持 建汰^2,3、荻野 拓²、北村 未歩⁴、堀場 弘司⁴、組頭 広志^4,5、長谷川 哲也¹ (1.東大院理、2.産総研、3.東理大、4.KEK、5.東北大多元研)

キーワード：イリジウム酸化物、酸フッ化物、トポタクテック反応

Sr₂IrO₄はスピン軌道相互作用と結晶場の協奏により特殊なモット絶縁体となる。これまで我々は、Sr₂IrO₄エピタキシャル薄膜にトポタクティックなフッ素ドープを試み、新たな酸フッ化物であるSr₂IrO_4-xF_y薄膜の作製に成功した。このとき、抵抗率はフッ化前後で大きく変化しなかった。そこで、Sr₂IrO₄にLaをドープしてあらかじめ抵抗率を下げた薄膜をフッ化させ、電子輸送特性の変化を調べたところ、フッ化により抵抗率の値が大幅に上昇することが分かった。