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[9p-PA4-10] トポタクティックフッ素ドープによるLa0.1Sr1.9IrO4-xFy薄膜の作製
キーワード:イリジウム酸化物、酸フッ化物、トポタクテック反応
Sr2IrO4はスピン軌道相互作用と結晶場の協奏により特殊なモット絶縁体となる。これまで我々は、Sr2IrO4エピタキシャル薄膜にトポタクティックなフッ素ドープを試み、新たな酸フッ化物であるSr2IrO4-xFy薄膜の作製に成功した。このとき、抵抗率はフッ化前後で大きく変化しなかった。そこで、Sr2IrO4にLaをドープしてあらかじめ抵抗率を下げた薄膜をフッ化させ、電子輸送特性の変化を調べたところ、フッ化により抵抗率の値が大幅に上昇することが分かった。