[9p-PA4-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9p-PA4-11] CuとNiSiを用いた抵抗変化型不揮発性メモリ

〇仲山 広記¹、塚本 貴広²、雑賀 章浩³、加藤 格³、鮫島 俊之¹、須田 良幸¹ (1.東京農工大院工、2.電気通信大、3.東京高専)

キーワード：抵抗変化メモリ

本研究ではCuとNiという酸化力の異なる2種類の材料を使用したAu/CuOx/CuxNiyOz/Ni/n-Si構造のメモリ素子において高いon/off電流比の取得に成功した。今回はCuとNiSiという、より酸化力の異なる2種類の材料を使用したAu/CuOx/(CuxNiySiz)On/NiSi/n-Si構造のメモリを新たに提案する。その基本的動作特性を示し、動作原理について考察する。