[9p-PA4-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9p-PA4-13] パルス印加による分子膜ギャップ型原子スイッチの動作確率分布計測

〇有馬 知里¹、鶴岡 徹²、内藤 泰久³、島 久³、秋永 広幸³、長谷川 剛¹ (1.早大理工、2.物材機構、3.産総研)

キーワード：抵抗変化メモリ