[9p-PA4-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9p-PA4-15] Ag/HfO₂/Pt接合型原子スイッチ動作の電圧, HfO₂膜厚, 温度依存性測定

〇(B)和田 直也¹、長谷川 剛¹ (1.早大応物)

キーワード：抵抗変化メモリ