[9p-PA4-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9p-PA4-19] Ni原子移動制御型分子膜ギャップ型原子スイッチの開発

〇(B)甲賀 優希¹、長谷川 剛¹ (1.早大応物)

キーワード：抵抗変化メモリ