2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9p-PA4-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年3月9日(土) 16:00 〜 18:00 PA4 (屋内運動場)

16:00 〜 18:00

[9p-PA4-30] MOCVD法で作製したGarnet型リチウムイオン導電体LLZ膜

浮島 禎之1、塚原 尚希1 (1.アルバック未来研)

キーワード:固体電解質、有機金属化学気相成長、リチウムイオン導電体

Garnet型リチウムイオン導電体Li7La3Zr2O12(LLZ)はイオン伝導率が高く、リチウム金属に対して安定であることから酸化物系全固体リチウムイオン電池の固体電解質として最も有望な化合物である。MOCVD法は高速成膜、優れた段差被覆性等の優位性を持ち、固体電解質の作製法として期待される。しかしLLZのMOCVD材料は蒸気圧が低く、安定して蒸発させることが難しい。本研究ではLi、La、Zrの前駆体の安定供給方法を検討し、MOCVD法でのLLZ膜の作製プロセスを確立した。基板温度600℃以上でCVD薄膜が形成された。この薄膜をさらに900℃でアニールすることにより炭素が抜けて結晶化された薄膜が得られた。