2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9p-PA4-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年3月9日(土) 16:00 〜 18:00 PA4 (屋内運動場)

16:00 〜 18:00

[9p-PA4-9] 層状p型半導体LiRhO2の薄膜成長と電気伝導性制御

〇(DC)相馬 拓人1、吉松 公平1、大友 明1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

キーワード:p型半導体、金属-絶縁体転移、インターカレーション

9族元素であるRhは種々の化合物中で+3価をとり,その電子配置は4d6である.八面体結晶場中では低スピン状態をとりt2g軌道は完全に閉殻となる.そのため,Rh2O3に代表されるこのような物質は絶縁体である.一方で,ホールドープによりp型半導体となることが知られている.我々は,二次元面のホール伝導が伝導度向上に有効であることを考慮し,層状岩塩型構造から導かれる三方晶系LiRhO2に着目した.LiRhO2は古くから知られているにも関わらず,電子物性が殆ど研究されていない.そこで本研究では,高品質な薄膜の合成と電気伝導性の評価に取り組んだ.