[9p-PB1-1~80] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター講演）

[9p-PB1-21] 有機金属分解法によるNd₂BiFe₄GaO₁₂ 薄膜作製における仮焼成条件の検討

〇(M2)趙 嘉欣¹、西川 雅美¹、石橋 隆幸¹、河原 正美² (1.長岡技術科学大学、2.高純度化学研究所)

キーワード：ガーネット、MOD法、下地層

これまでに我々は，有機金属分解（MOD）法を用いて、優れた磁気光学特性を示すNd_0.5Bi_2.5Fe_5-yGa_yO₁₂ (Bi2.5Ga:NIG)薄膜をガラス基板上に作製することに成功した[1]。ここで，下地層として用いるNd₂BiFe₄GaO₁₂ (Bi1Ga1:NIG)薄膜の特性は，Bi2.5Ga:NIG薄膜の特性に大きく影響を及ぼすため，最適な作製条件を求める必要がある。しかし，MODプロセスにおける仮焼成条件の検討がこれまで十分に行なわれていなかった。そこで，今回は仮焼成の条件を変化させてBi1Ga1:NIG薄膜を作製し，評価を行った。