[9p-PB1-1~80] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター講演）

[9p-PB1-3] Co₂TiSiワイルセミメタルホイスラー合金のエピタキシャル薄膜作製

〇(M1)劉 みん¹、大兼 幹彦¹、角田 匡清¹、安藤 康夫¹ (1.東北大)

キーワード：ホイスラー磁性体、ワイルセミメタル、異常ホール効果

Co₂TiSiはハーフメタルで、かつ、ワイルセミメタルであることから大きな異常ホール効果を示す可能性がある。本研究では、Co₂TiSiに着目し、エピタキシャル薄膜試料を作製するための成膜条件の最適化を行った。結果としては、圧力0.15 Paとポストアニール温度T_a = 700℃の条件でCo₂TiSiのL2_１構造に起因するピークを観測し、また、MgO基板上にエピタキシャル成長していることを確認した。そして、低温でバルク値（213 emu/cc）に近い飽和磁化の値を確認した。