[9p-PB1-1~80] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター講演）

[9p-PB1-43] STM/STSによるα-Sn/InSb(001) 電子状態の膜厚特性の測定

〇樋渡 功太¹、加来 滋¹、吉野 淳二¹ (1.東工大理)

キーワード：トポロジカル絶縁体

これまでにα-Sn薄膜がトポロジカル絶縁体となることが知られているが、STMを用いた解析は行われていない。本講演では圧縮歪をかけたα-Sn表面状態の膜厚依存性について、tight-bindingを用いた計算結果とMBEを用いてInSb(001)基板に成長させたα-SnのSTM/.STS測定結果の両面から議論を行う。