[9p-PB1-1~80] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター講演）

[9p-PB1-9] 窒素吸着Cu(001)表面上でのFeNi原子層成長における作製条件の最適化

〇(M1C)高橋 優樹^1,2、川口 海周²、服部 卓磨²、飯盛 拓嗣²、宮町 俊生²、小嗣 真人¹、小森 文夫² (1.東理大基礎工、2.東大物性研)

キーワード：窒素サーファクタント効果、L10型FeNi規則合金、レアメタルフリー

L1₀型FeNi規則合金は高性能なレアメタルフリー新規磁性材料として注目を集めており、これまで分子線エピタキシー(MBE)法を用いた単原子交互積層による薄膜の作製が行われたが、単純なMBE法では高い規則度を有したL1₀-FeNiの作製に限界があった。そこで我々は膜成長時の界面拡散を窒素の導入によって抑えられることから原子レベルでの構造制御が期待される窒素サーファクタント効果を利用し、Cu (001)基板上に高い規則度のFeNi二原子層の成長を試みた。