2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.1 作製・構造制御

[9p-PB3-1~28] 12.1 作製・構造制御

2019年3月9日(土) 16:00 〜 18:00 PB3 (武道場)

16:00 〜 18:00

[9p-PB3-27] シルセスキオキサン含有高分子ナノシートを利用した多孔性SiO2超薄膜の細孔径制御

石崎 裕也1、山本 俊介1、宮下 徳治1、三ツ石 方也1 (1.東北大多元研)

キーワード:多孔質薄膜、シルセスキオキサン、高分子ナノシート

本研究では、ポリN-ドデシルアクリルアミド(pDDA)およびシルセスキオキサン含有ランダム共重合体p(DDA/SQ)からなる高分子ナノシートの光酸化反応を利用して、多孔性SiO2超薄膜の作製およびその細孔径制御を検討した。その結果、多孔性SiO2超薄膜の作製に成功し、さらにpDDA:p(DDA/SQ)の混合比を調製することで、最終的に得られる多孔性SiO2超薄膜の細孔径を3.7から5.0 nmの範囲で制御することに成功した。