[9p-PB6-1~15] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[9p-PB6-14] Long-duration potential-induced degradation tests for n-type rear-emitter crystalline Si photovoltaic modules

〇Yuansong Xu¹, Seira Yamaguchi¹, Atsushi Masuda², Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.AIST)

Keywords:crystalline Si photovoltaic modules, potential-induced degradation, rear-emitter

n型リアエミッター型結晶Si太陽電池モジュールにおいて、20日の長時間電圧誘起劣化挙動を調査した。試験開始直後からV_oc が減少し始め、約1時間で一旦飽和する．これはカバーガラスなどのNaがセル表面に侵入し，表面再結合を活性化したためと考えられる。試験開始10時間後から，FF，V_oc，J_scが低下し，EQEは全波長領域で減少した．これらの現象は，光照射面とは反対のp⁺エミッタ側やセルエッジへのNa侵入に起因する可能性が考えられる．