[9p-PB6-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[9p-PB6-14] n型リアエミッター型結晶Si太陽電池モジュールの長時間電圧誘起劣化試験

〇徐 原松¹、山口 世力¹、増田 淳²、大平 圭介¹ (1.北陸先端、2.産総研)

キーワード：結晶シリコン太陽電池モジュール、電圧誘起劣化、リアエミッター型

n型リアエミッター型結晶Si太陽電池モジュールにおいて、20日の長時間電圧誘起劣化挙動を調査した。試験開始直後からV_oc が減少し始め、約1時間で一旦飽和する．これはカバーガラスなどのNaがセル表面に侵入し，表面再結合を活性化したためと考えられる。試験開始10時間後から，FF，V_oc，J_scが低下し，EQEは全波長領域で減少した．これらの現象は，光照射面とは反対のp⁺エミッタ側やセルエッジへのNa侵入に起因する可能性が考えられる．