[9p-PB6-1~15] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[9p-PB6-7] Effect of NH₃-related radicals generated by catalytic decomposition on the passivation ability of SiN_x films

〇(M1)Yoshiaki Sumitomo¹, Keiuske Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Passivation, Cat-CVD, SiNx

結晶Si表面へのNH₃系ラジカル処理がSiN_x膜のパッシベーション性能におよぼす影響について調査した。ラジカル処理時の基板温度上昇にともない少数キャリア寿命(τ_eff)は向上し、処理時間が長くなるとτ_effの低下が見られた。触媒分解で生成したHラジカルによるSiのエッチングが影響している可能性が示唆される。NH₃系ラジカルにSi表面を曝露する際、適切な基板温度と処理時間の選定が必要である。