[9p-S221-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[9p-S221-15] SAM修飾MOSFET型センサの表面電界が感度に与える影響

〇藏本 駿介¹、伊部 徳朗¹、祖父江 琢哉¹、萩原 一樹¹、田中 貴久¹、高橋 綱己²、柳田 剛²、内田 建¹ (1.慶大理工、2.九大先導研)

キーワード：MOSFET、自己組織化単分子膜、電界

SAM修飾MOSFET型センサにおいて，電界の影響はこれまでにほとんど調べられていない．そこで，SAM修飾MOSFET型センサを作製し，電界が及ぼす影響を水蒸気を標的分子として調べた．ゲート電圧を2種類の方法で印加しドレイン電流の変化を測定することで，電界の大きさと向きの違いによってセンサ応答に違いが出ることを明らかにした．また，極性分子を検知するために，最適なゲート電圧の与え方があることを示した．