[9p-S221-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[9p-S221-4] 量子効果の影響を考慮したGaAsSb/InGaAs Double-Gate Tunnel FETの検討

〇野上 直哉¹、福田 浩一^1,2、宮本 恭幸¹ (1.東工大工、2.産総研)

キーワード：トンネルFET

量子効果を考慮したシミュレーションによりダブルゲートヘテロTFETの検討を行った。組成比により実効的なバンドギャップを調整することで電源電圧0.5Vでのオン電流とゲート容量によってITRSの2028年の真性遅延を達成できる可能性を見出した。