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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[9p-S221-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2019年3月9日(土) 13:45 〜 17:45 S221 (S221)

井田次郎(金沢工大)、田岡紀之(産総研)

15:15 〜 15:30

[9p-S221-7] Si-p/n接合におけるトンネル電流の理論シミュレーション;
界面ポテンシャル変調の効果

〇(M1)趙祥勲¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)

キーワード：半導体、TFET、トンネル