[9p-S221-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

△ [9p-S221-8] Theoretical studies on the switching mechanism of VMCO memories

〇Toru Nakanishi¹, Kenta Chokawa², Masaaki Araidai³, Takashi Nakayama⁴, Kenji Shiraishi³ (1.Department of Eng.,Nagoya Univ., 2.Grad.Sch.of Eng.,Nagoya Univ., 3.IMaSS,Nagoya Univ., 4.Chiba Univ.)

Keywords:VMCO memories, first principles calculation

現在までに多くの種類のReRAMが報告されていますが、その中でも大きな注目を集めているのがVMCOメモリです。VMCOメモリとは近年開発されたメモリであり、電流値の面積依存性という他のReRAMにはない特徴を持っています。そのため、微細化が容易であり、将来を有望視されているメモリの一つです。しかし、VMCOメモリの動作原理については未だ解明できていません。本研究では、VMCOメモリの動作原理を理論計算の観点から考察しました。