2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術

[9p-S221-1~15] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2019年3月9日(土) 13:45 〜 17:45 S221 (S221)

井田 次郎(金沢工大)、田岡 紀之(産総研)

15:30 〜 15:45

[9p-S221-8] VMCO メモリの動作原理の理論的検討

中西 徹1、長川 健太2、洗平 昌晃3、中山 隆史4、白石 賢二3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研、4.千葉大院理)

キーワード:VMCOメモリ、第一原理計算

現在までに多くの種類のReRAMが報告されていますが、その中でも大きな注目を集めているのがVMCOメモリです。VMCOメモリとは近年開発されたメモリであり、電流値の面積依存性という他のReRAMにはない特徴を持っています。そのため、微細化が容易であり、将来を有望視されているメモリの一つです。しかし、VMCOメモリの動作原理については未だ解明できていません。本研究では、VMCOメモリの動作原理を理論計算の観点から考察しました。